探測(cè)器產(chǎn)品及廠家

EOT 22GHz光電探測(cè)器ET-3600
eot 22ghz光電探測(cè)器et-3600系列高速光電探測(cè)器應(yīng)用于時(shí)域和頻率測(cè)試， et-3600帶寬高達(dá)22ghz，且光譜范圍覆蓋900-1700nm.。上升沿和下降沿時(shí)間只有16ps，et-3600提供自由空間輸入和fc/upc 輸入使得適合于各種激光器的測(cè)試。
更新時(shí)間:2026-01-12
超快探測(cè)器 UPD 超快光電探測(cè)器
alphalas upd系列自由空間入射超快光電探測(cè)器系列適合用于從直流到25ghz的空間光波形的測(cè)量。可提供檢測(cè)最短為15ps上升時(shí)間的光脈沖信號(hào)，覆蓋從170至2600nm的光譜范圍。 所有探測(cè)器都由緊湊堅(jiān)實(shí)的過(guò)氧極化鋁外殼封裝，供電方式可以采用電池或外接電源。 可提供從170到1100 nm擴(kuò)展到紫外光譜范圍高速硅探測(cè)器商業(yè)產(chǎn)品。
更新時(shí)間:2026-01-12
EOT 22GHz光電探測(cè)器ET-3600
eot 22ghz光電探測(cè)器et-3600系列高速光電探測(cè)器應(yīng)用于時(shí)域和頻率測(cè)試， et-3600帶寬高達(dá)22ghz，且光譜范圍覆蓋900-1700nm.。上升沿和下降沿時(shí)間只有16ps，et-3600提供自由空間輸入和fc/upc 輸入使得適合于各種激光器的測(cè)試。
更新時(shí)間:2026-01-12
InGaAs 銦鎵砷線列探測(cè)器(相機(jī)) 0.9-1.7um NIR-512X2 型
ingaas 銦鎵砷線列探測(cè)器(相機(jī)) 0.9-1.7um nir-512x2 型應(yīng)用領(lǐng)域：工業(yè)檢測(cè)、機(jī)器視覺、光譜分析、物料分選等產(chǎn)品特點(diǎn)：2 檔增益、高行頻、高靈敏、室溫工作
更新時(shí)間:2026-01-12
2-12um MCT中紅外三級(jí)TE冷卻光浸式光電探測(cè)器 PVI-3TE系列
2-12um mct中紅外三級(jí)te冷卻光浸式光電探測(cè)器 pvi-3te系列pvi-3te系列是基于復(fù)雜的hgcdte異質(zhì)結(jié)構(gòu)的三級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器，具有的性能和穩(wěn)定性，同時(shí)采用光學(xué)浸入來(lái)改善器件的參數(shù)。探測(cè)器在λopt時(shí)具有他本身的z佳性能。
更新時(shí)間:2026-01-12
InGaAs 雪崩單元探測(cè)器 APD-2G-A-FS
ingaas 雪崩單元探測(cè)器 apd-2g-a-fs雪崩單元探測(cè)模塊集成了低噪聲apd探測(cè)器、低噪聲寬帶 跨阻放大器、超低噪聲隔離電源、高壓電源、apd溫度補(bǔ)償； 隔離電源供電確保輸出信號(hào)不受外部供電電源的影響；apd溫 度補(bǔ)償提高探測(cè)模塊的穩(wěn)定性。雪崩光電探測(cè)器具有高增益、 高靈敏度、高帶寬、低噪聲等特點(diǎn)。
更新時(shí)間:2026-01-12
1-14um MCT兩級(jí)熱電冷卻紅外光電導(dǎo)探測(cè)器
1-14um mct兩級(jí)熱電冷卻紅外光電導(dǎo)探測(cè)器 pc-2te系列是基于復(fù)雜的mct異質(zhì)結(jié)構(gòu)的兩級(jí)熱電冷卻紅外光電導(dǎo)探測(cè)器，具有的性能和穩(wěn)定性。器件在λopt時(shí)達(dá)到它本身能達(dá)到的的z佳性能。設(shè)備應(yīng)該在的偏置電壓和電流讀出模式下工作。
更新時(shí)間:2026-01-12
InGaAs 銦鎵砷線列探測(cè)器(相機(jī)) 0.9-1.7um NIR-1024X2 型
ingaas 銦鎵砷線列探測(cè)器(相機(jī)) 0.9-1.7um nir-1024x2 型應(yīng)用領(lǐng)域：工業(yè)檢測(cè)、機(jī)器視覺、光譜分析、物料分選等產(chǎn)品特點(diǎn)：2 檔增益、高行頻、高靈敏、室溫工作
更新時(shí)間:2026-01-12
1-15um MCT中紅外光電導(dǎo)探測(cè)器 三級(jí)熱電冷卻 PC-3TE系列
1-15um mct中紅外光電導(dǎo)探測(cè)器 三級(jí)熱電冷卻 pc-3te系列pc-3te系列是基于復(fù)雜的mct異質(zhì)結(jié)構(gòu)的三級(jí)熱電冷卻紅外光電導(dǎo)探測(cè)器，具有的性能和穩(wěn)定性。器件在λopt時(shí)達(dá)到它本身能達(dá)到的的z佳性能。設(shè)備應(yīng)該在的偏置電壓和電流讀出模式下工作。
更新時(shí)間:2026-01-12
1-16um 中紅外光浸沒式MCT四級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器 PCI-4TE系列
1-16um 中紅外光浸沒式mct四級(jí)te冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器 pci-4te系列pci-4te系列是基于復(fù)雜的mct異質(zhì)結(jié)構(gòu)的四級(jí)熱電冷卻紅外光電導(dǎo)探測(cè)器，采用光學(xué)浸沒以提高探測(cè)器的性能，使其具有的性能和穩(wěn)定性。探測(cè)器在λopt時(shí)性能佳。
更新時(shí)間:2026-01-12
銦鎵砷 InGaAs 微弱光相干接收模塊 800-1700nm AC-1.6G
銦鎵砷 ingaas 微弱光相干接收模塊 800-1700nm ac-1.6g筱曉光子針對(duì)光學(xué)相干檢測(cè)應(yīng)用研發(fā)了高速低噪聲模擬相干接收模塊。該svdc power coherent receiver module模塊內(nèi)部集成了高速低噪聲模擬光電平衡探測(cè)器以及高品質(zhì)光纖耦合器。制作過(guò)程對(duì)耦合器分光比以及長(zhǎng)度進(jìn)行嚴(yán)格控制，從而進(jìn)一步提高共模抑制比。
更新時(shí)間:2026-01-12
Si平衡探測(cè)器 1GHz 400-1100nm FC/APC
si平衡探測(cè)器 1ghz 400-1100nm fc/apcsi平衡探測(cè)模塊集成了兩個(gè)匹配的低噪聲模擬pin探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲電源。具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲、高共模抑制比等特點(diǎn)，可以有效的減少信號(hào)的共模噪聲，提高系統(tǒng)的信噪比。
更新時(shí)間:2026-01-12
帶光伏多結(jié)探測(cè)器的HgCdTe通用紅外檢測(cè)模塊 2.0–12.0μm和DC–70 MHz
帶光伏多結(jié)探測(cè)器的hgcdte通用紅外檢測(cè)模塊 2.0–12.0μm和dc–70 mhzum-10.6是一款通用的一體化紅外檢測(cè)模塊。這是一款基于碲鎘汞異質(zhì)結(jié)構(gòu)的熱電冷卻光伏探測(cè)器，在緊湊的外殼中集成了跨阻、直流耦合前置放大器、風(fēng)扇和熱電冷卻控制器。
更新時(shí)間:2026-01-12
2.3-4.4umDC一7.5MHz碲鎘汞可編程實(shí)驗(yàn)室紅外檢測(cè)模塊(帶光浸式光伏探測(cè)器)
2.3-4.4umdc一7.5mhz碲鎘汞可編程實(shí)驗(yàn)室紅外檢測(cè)模塊(帶光浸式光伏探測(cè)器)labm-i-4是一種檢測(cè)模塊，其特征是基于hgcdte異質(zhì)結(jié)構(gòu)（pvi-2te-4-1×1-to8-wal2o3-36）的te冷卻、光學(xué)浸沒光伏紅外探測(cè)器，與可編程跨阻抗放大器（pip系列）集成。
更新時(shí)間:2026-01-12
2-12um MCT中紅外四級(jí)TE冷卻紅外光電探測(cè)器 PV-4TE系列
2-12um mct中紅外四級(jí)te冷卻紅外光電探測(cè)器 pv-4te系列pv-4te系列是基于復(fù)雜的mct異質(zhì)結(jié)構(gòu)的四級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器，具有的性能和穩(wěn)定性。探測(cè)器在λopt時(shí)達(dá)到它本身能達(dá)到的的z佳性能。起始波長(zhǎng)可根據(jù)需要進(jìn)行優(yōu)化。
更新時(shí)間:2026-01-12
雪崩式光電探測(cè)器（APD）
雪崩式光電探測(cè)器（apd）銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(apd)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)pin探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的apd之外，還提供具有可變?cè)鲆?即m因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/div> 更新時(shí)間:2026-01-12
雪崩式光電探測(cè)器（APD）
雪崩式光電探測(cè)器（apd）銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(apd)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)pin探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的apd之外，還提供具有可變?cè)鲆?即m因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/div> 更新時(shí)間:2026-01-12
雪崩式光電探測(cè)器（APD）
雪崩式光電探測(cè)器（apd）銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(apd)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)pin探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的apd之外，還提供具有可變?cè)鲆?即m因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/div> 更新時(shí)間:2026-01-12
雪崩式光電探測(cè)器（APD）
雪崩式光電探測(cè)器（apd）銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(apd)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)pin探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的apd之外，還提供具有可變?cè)鲆?即m因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/div> 更新時(shí)間:2026-01-12
InGaAs 銦鎵砷單元探測(cè)器 0.9-1.7um SWIR-Ⅱ型
ingaas 銦鎵砷單元探測(cè)器 0.9-1.7um swir-ⅱ型應(yīng)用領(lǐng)域：光譜探測(cè)與分析、氣體分析、水含量分析等產(chǎn)品特點(diǎn)：正照射結(jié)構(gòu)、靈敏度高、響應(yīng)時(shí)間快、內(nèi)部集成二級(jí)熱電制冷器
更新時(shí)間:2026-01-12
Si平衡探測(cè)器 100MHz 400-1100nm FC/APC
si平衡探測(cè)器 100mhz 400-1100nm fc/apcsi平衡探測(cè)模塊集成了兩個(gè)匹配的低噪聲模擬pin探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲電源。具有高增益、高靈敏度、高帶寬、低噪聲、高共模抑制比等特點(diǎn)，可以有效的減少信號(hào)的共模噪聲，提高系統(tǒng)的信噪比。
更新時(shí)間:2026-01-12
2-13um MCT中紅外 四級(jí)TE冷卻 光浸式多結(jié)光伏探測(cè)器 PVMI-4TE系列
2-13um mct中紅外 四級(jí)te冷卻 光浸式多結(jié)光伏探測(cè)器 pvmi-4te系列pvmi-4te系列是基于復(fù)雜的hgcdte異質(zhì)結(jié)構(gòu)的四級(jí)te冷卻紅外多結(jié)光伏探測(cè)器，采用光學(xué)浸沒的方式改善器件的參數(shù)，以達(dá)到的性能和穩(wěn)定性。探測(cè)器在λopt入射時(shí)性能佳。
更新時(shí)間:2026-01-12
8um MCT中紅外 兩級(jí)TE冷卻 多結(jié)光伏探測(cè)器 PVM-2TE系列
8um mct中紅外 兩級(jí)te冷卻 多結(jié)光伏探測(cè)器 pvm-2te系列pvm-2te系列是基于復(fù)雜的hgcdte異質(zhì)結(jié)構(gòu)的兩級(jí)te冷卻紅外多結(jié)光電探測(cè)器，具有的性能和穩(wěn)定性。探測(cè)器在λopt入射時(shí)性能佳。它們?cè)? ~ 12 μm光譜范圍內(nèi)工作的大型有源區(qū)域探測(cè)器中效率很高。
更新時(shí)間:2026-01-12
1-15um 中紅外光浸沒式MCT兩級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器 PCI-2TE系列 TO8
1-15um 中紅外光浸沒式mct兩級(jí)te冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器 pci-2te系列 to8pci-2te系列是基于復(fù)雜的mct異質(zhì)結(jié)構(gòu)的兩級(jí)熱電冷卻紅外光電導(dǎo)探測(cè)器，采用光學(xué)浸沒來(lái)提高器件的性能，具有的性能和穩(wěn)定性。探測(cè)器在λopt條件下性能達(dá)到z佳。
更新時(shí)間:2026-01-12
200-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器
200-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(apd)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)pin探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的apd之外，還提供具有可變?cè)鲆?即m因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/div> 更新時(shí)間:2026-01-12
190～1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器
190～1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器我們的硅探測(cè)器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見光測(cè)量；放大型探測(cè)器，8檔可調(diào)增益 ，定量光電轉(zhuǎn)換；動(dòng)態(tài)范圍寬 ，適用于各種光電開發(fā)場(chǎng)景 ，應(yīng)用廣泛；
更新時(shí)間:2026-01-12
190～ 1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器
190～ 1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器我們的硅探測(cè)器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見光測(cè)量；放大型探測(cè)器，8檔可調(diào)增益 ，定量光電轉(zhuǎn)換；動(dòng)態(tài)范圍寬 ，適用于各種光電開發(fā)場(chǎng)景 ，應(yīng)用廣泛；索雷博thorlabs同款 ，無(wú)縫兼容；性能 ，高性價(jià)比 ，quan方位技術(shù)支持； 提供非標(biāo)定制服務(wù)。
更新時(shí)間:2026-01-12
200-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器
200-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(apd)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)pin探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的apd之外，還提供具有可變?cè)鲆?即m因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/div> 更新時(shí)間:2026-01-12
400-900nm超快光電探測(cè)器
400-900nm超快光電探測(cè)器我們的<10 ghz 光電探測(cè)器包含 pin 光電二極管，利用光伏效應(yīng)將光功率轉(zhuǎn)換為電流。 當(dāng)端接到示波器的 50 ω 電阻時(shí)，可以測(cè)量激光的脈沖寬度。當(dāng)端接到頻譜分析儀的 50 ω 電阻時(shí)，可以測(cè)量激光器的頻率響應(yīng)。
更新時(shí)間:2026-01-12
偏振分集相干接收模塊 (InGaAs平衡探測(cè)器1510-1590nm 帶寬 2.5GHz)
偏振分集相干接收模塊 (ingaas平衡探測(cè)器1510-1590nm 帶寬 2.5ghz)筱曉光子pdr系列偏振分集接收模塊是針對(duì)偏振敏感的光纖傳感應(yīng)用。該偏振分集接收模塊將本振光與信號(hào)光的兩個(gè)偏振態(tài)進(jìn)行分別相干，采用兩路高速低噪聲平衡探測(cè)器進(jìn)行分別接收，能夠很好的解決相干偏振態(tài)的問題，適用于分布式光纖傳感、激光測(cè)風(fēng)雷達(dá)、光學(xué)相干層析等應(yīng)用領(lǐng)域。
更新時(shí)間:2026-01-12
900-1700nm 銦鎵砷InGaAs平衡探測(cè)器
koheron pd100b是一款增益為39kv/a、帶寬為100mhz、共模抑制比為35db的放大平衡探測(cè)器。pd100b有交流和直流耦合版本，可安裝ingaas光電二極管或不安裝光電二極管，是光學(xué)相干層析成像和激光探測(cè)等應(yīng)用的理想選擇。
更新時(shí)間:2026-01-12
平衡探測(cè)器 1064 nm/1550nm
該bd系統(tǒng)配備了電子混合路徑，用于控制信號(hào)的解調(diào)和誤差信號(hào)的生成，以鎖定壓縮真空態(tài)和bd本地振蕩器的相對(duì)相位。通過(guò)這種方式，能夠?qū)崿F(xiàn)長(zhǎng)時(shí)間測(cè)量并穩(wěn)定控制壓縮量子噪聲。調(diào)制/解調(diào)頻率通常設(shè)定在1 mhz到80 mhz之間，具體根據(jù)客戶需求。
更新時(shí)間:2026-01-12
堿液型高純度氫氣發(fā)生器
堿液型高純度氫氣發(fā)生器 堿液型高純度氫氣發(fā)生器 sph-2001. 體積小，結(jié)構(gòu)緊湊，重量輕，有效節(jié)省空間。
更新時(shí)間:2026-01-12
筆式可燃?xì)怏w探測(cè)器 JKBX169
筆式可燃?xì)怏w探測(cè)器 jkbx169本產(chǎn)品采用催化燃燒式氣敏元件，功耗低、靈敏度高，結(jié)合先進(jìn)電子技術(shù)及精良工藝制成。此氣體探測(cè)器具有電源指示、欠壓指示、故障指示、報(bào)警指示及聲音提示等功能。功耗低，靈敏度高。
更新時(shí)間:2026-01-09
氣體探測(cè)器，JKCP01
氣體探測(cè)器，jkcp01氣體探測(cè)器，jkcp01 jkcp01氣體探測(cè)器是我公司生產(chǎn)的新型氣體檢測(cè)儀器，該儀器采用優(yōu)質(zhì)氣體傳感器結(jié)合精良工藝制造而成，具有良好的重復(fù)性和抗?jié)駵囟雀蓴_性，以及使用壽命長(zhǎng)、操作方便等優(yōu)點(diǎn)。
更新時(shí)間:2026-01-09
VITUS系列SDD探測(cè)器
硅漂移x射線sdd探測(cè)器ketek 是的sdd 探測(cè)器生產(chǎn)商，其生產(chǎn)的sdd 探測(cè)器廣泛的應(yīng)用于分析儀器制備，科學(xué)研究以及宇宙探索等諸多領(lǐng)域。按照產(chǎn)品的功能分類，ketek 的探測(cè)器分為，vitus，viamp，axas-a，axas-d，axas-m 五個(gè)系列。
更新時(shí)間:2026-01-08
338系列快速波長(zhǎng)計(jì)
bristol公司新推出338系列快速波長(zhǎng)計(jì)，能夠同時(shí)測(cè)量連續(xù)和調(diào)制信號(hào)，高精度可達(dá)±0.3pm.25hz的快速而又確的測(cè)量，為您的光收發(fā)器研發(fā)和生產(chǎn)保駕護(hù)航。實(shí)惠的價(jià)格加上五年的質(zhì)保期，可確保您最低的擁有成本。
更新時(shí)間:2026-01-08
十萬(wàn)瓦水冷熱電堆功率探頭
可以測(cè)量激光的功率，單發(fā)脈沖能量，可以測(cè)量激光光束位置和光斑尺寸。
更新時(shí)間:2026-01-08
MPRT面板運(yùn)動(dòng)圖像響應(yīng)時(shí)間測(cè)試系統(tǒng)
mprt（moving picture response time）運(yùn)動(dòng)圖像響應(yīng)時(shí)間測(cè)試是為平板顯示器、手機(jī)顯示屏、液晶顯示器等運(yùn)動(dòng)圖像模糊邊緣時(shí)間、模糊邊緣寬度的測(cè)量。系統(tǒng)檢測(cè)方式采用idms標(biāo)準(zhǔn)的c方法：相機(jī)線性追蹤.
更新時(shí)間:2026-01-08
Andor單點(diǎn)探測(cè)器
除ccd 及ingaas 陣列探測(cè)器以外，andor 提供大量單點(diǎn)探測(cè)器配合shamrock 系列光譜儀使用，以便擴(kuò)展光譜儀的應(yīng)用方式和波段范圍：? pmt 探測(cè)器，185 - 900nm? 半導(dǎo)體探測(cè)器 200 - 1100nm? ingaas 單點(diǎn)探測(cè)器 800 - 1900nm? pbs 探測(cè)器 800 - 2900nm
更新時(shí)間:2026-01-08
CMOS平板探測(cè)器
cmos x射線相機(jī)由單個(gè)半導(dǎo)體硅片制成，可直接探測(cè)可見光或配合閃爍晶體用于探測(cè)x光和其它高能輻射。針對(duì)不同應(yīng)用，可配備不同厚度gadox或針狀csi閃爍體，是醫(yī)學(xué)診斷，工業(yè)檢測(cè)，科學(xué)成像的理想解決方案，標(biāo)準(zhǔn)能量測(cè)試范圍為不超過(guò)220kv，根據(jù)客戶要求，能量可到400kv，采用camera link接口，全分辨率下最高可到65幀/秒
更新時(shí)間:2026-01-08
VCSEL垂直腔面發(fā)射激光器功率測(cè)試方案
vcsel垂直腔面發(fā)射激光器功率測(cè)試方案使用獨(dú)有的spectralon 、permaflect或spectraflect積分球?qū)ζ骷l(fā)光進(jìn)行收集。該材料對(duì)紫外-可見-紅外范圍內(nèi)的光都具有極高的光譜反射率，可分別滿足研發(fā)端和產(chǎn)線段對(duì)高低溫度測(cè)試和產(chǎn)線端設(shè)備免維護(hù)性的要求。此外，通過(guò)選擇不同尺寸的積分球，可以滿足從毫瓦到千瓦量級(jí)的激光功率測(cè)試。
更新時(shí)間:2026-01-08
Si-PIN探測(cè)器
moxtek公司生產(chǎn)的si-pin探測(cè)器基于公司超低噪聲的jfet電路及優(yōu)異的鈹窗技術(shù)研制而成，主要應(yīng)用于手持式或臺(tái)式x射線熒光光譜儀中，作為能量分辨的探測(cè)器。 xpin-xt探測(cè)器主要技術(shù)指標(biāo)有效探測(cè)面積：6 mm2 、 13 mm2硅片厚度：450um、625um
更新時(shí)間:2026-01-08
Si-PIN探測(cè)器
moxtek公司成立于1986年，分為x射線部門和光學(xué)器件部門，是全球知名的高科技企業(yè)，為客戶提供創(chuàng)新的產(chǎn)品應(yīng)用方案。moxtek生產(chǎn)的si-pin探測(cè)器基于公司超低噪聲的jfet電路及優(yōu)異的鈹窗技術(shù)研制而成，主要應(yīng)用于手持式或臺(tái)式x射線熒光光譜儀中，作為能量分辨的探測(cè)器。
更新時(shí)間:2026-01-08
VITUS-SDD探測(cè)器
德國(guó)ketek是世界上最早生產(chǎn)硅漂移探測(cè)器的公司產(chǎn)品具備高能量分辨、高計(jì)數(shù)率、高穩(wěn)定性、兼容性強(qiáng)、操作簡(jiǎn)便等優(yōu)點(diǎn)，多次隨美國(guó)火星探測(cè)器登陸火星，為人類獲得了許多火星上物質(zhì)主要成分的第一手資料。目前仍有7年前發(fā)射到火星的ketek探測(cè)器可以正常工作。
更新時(shí)間:2026-01-08
VIAMP-SDD探測(cè)器
德國(guó)ketek是世界上最早生產(chǎn)硅漂移探測(cè)器的公司產(chǎn)品具備高能量分辨、高計(jì)數(shù)率、高穩(wěn)定性、兼容性強(qiáng)、操作簡(jiǎn)便等優(yōu)點(diǎn)，多次隨美國(guó)火星探測(cè)器登陸火星，為人類獲得了許多火星上物質(zhì)主要成分的第一手資料。目前仍有7年前發(fā)射到火星的ketek探測(cè)器可以正常工作。
更新時(shí)間:2026-01-08
AXAS-A-SDD探測(cè)器
集成了vitus系列的sdd探測(cè)器的分析系統(tǒng)，使用了脈沖復(fù)位機(jī)制的前置放大器，從而保證了探測(cè)器能夠在高計(jì)數(shù)率下工作集成供電高壓電路，溫控電路，用戶只需使用±12v電源即可，使用方便用戶可以定制封裝探測(cè)器的finger的長(zhǎng)度，標(biāo)準(zhǔn)長(zhǎng)度為100mm，另有多種長(zhǎng)度可選高度集成化設(shè)計(jì)，外形緊湊，便于集成德國(guó)ketek是世界上最早生產(chǎn)硅漂移探測(cè)器的公司產(chǎn)品具備高能量分辨、高計(jì)數(shù)率、高穩(wěn)定性、兼容性強(qiáng)、操作簡(jiǎn)便等優(yōu)點(diǎn)，多次隨美國(guó)火星探測(cè)器登陸火星，為人類獲取了許多火星主要成分的第一手資料。目前仍有7年前發(fā)射到火星的ketek探測(cè)器可以正常工作。
更新時(shí)間:2026-01-08
AXAS-D-SDD探測(cè)器
集成了vitus系列的sdd探測(cè)器的分析系統(tǒng)，使用了脈沖復(fù)位機(jī)制的前置放大器，從而保證了探測(cè)器能夠在高計(jì)數(shù)率下工作集成供電高壓電路，溫控電路，用戶只需使用±12v電源即可，使用方便用戶可以定制封裝探測(cè)器的finger的長(zhǎng)度，標(biāo)準(zhǔn)長(zhǎng)度為100mm，另有多種長(zhǎng)度可選高度集成化設(shè)計(jì)，外形緊湊，便于集成德國(guó)ketek是世界上最早生產(chǎn)硅漂移探測(cè)器的公司產(chǎn)品具備高能量分辨、高計(jì)數(shù)率、高穩(wěn)定性、兼容性強(qiáng)、操作簡(jiǎn)便等優(yōu)點(diǎn)，多次隨美國(guó)火星探測(cè)器登陸火星，為人類獲取了許多火星主要成分的第一手資料。目前仍有7年前發(fā)射到火星的ketek探測(cè)器可以正常工作。
更新時(shí)間:2026-01-08
ElFys 黑硅探測(cè)器
elfys的高性能四象限探測(cè)器是建立在公司在黑硅技術(shù)上的專業(yè)性。開創(chuàng)性的方法允許得到近乎理想的從uv到nir波段的外部量子效率，使其實(shí)際上每個(gè)入射光子都能被探測(cè)到并轉(zhuǎn)換為可測(cè)量的信號(hào)。
更新時(shí)間:2026-01-08
PB2X系列硫化鉛探測(cè)器（波長(zhǎng)1-3um）
硫化鉛探測(cè)器的靈敏度比 硒化鉛探測(cè)器高出一個(gè)數(shù)量級(jí)以上; 但是，時(shí)間常數(shù)更長(zhǎng)。pbs探測(cè)器是一種光電探測(cè)器，可對(duì)入射的紅外輻射做出反應(yīng)并改變其電阻。其特別適用于需要大面積探測(cè)器的應(yīng)用，因?yàn)樗鼈儽韧?ingaas 探測(cè)器便宜得多。lc公司的典型芯片尺寸為 2 mmx2 mm，也可根據(jù)要求定制。
更新時(shí)間:2026-01-08

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