其他產(chǎn)品及廠家
asas ii自動(dòng)化標(biāo)準(zhǔn)添加系統(tǒng)通過(guò)自動(dòng)制備校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)溶液，提升了電感耦合等離子體（icp）分析的效率與精度。該系統(tǒng)采用非接觸式光流傳感器和高精度注射泵，實(shí)現(xiàn)微量標(biāo)準(zhǔn)溶液的精 準(zhǔn)添加。其無(wú)閥門設(shè)計(jì)及全氟聚合物材質(zhì)確保了系統(tǒng)的高效與耐用性。
更新時(shí)間:2026-01-12
自動(dòng)進(jìn)樣稀釋模塊asdm專為icp自動(dòng)進(jìn)樣器設(shè)計(jì)，支持2至1000倍的樣品溶液稀釋，配備兩種型號(hào)以適應(yīng)不同溶液類型。該模塊可自動(dòng)添加標(biāo)準(zhǔn)溶液，并能同時(shí)清洗稀釋探頭及準(zhǔn)備下一個(gè)稀釋樣品。asdm提供10ml注射器進(jìn)行2-20倍稀釋，或兩支注射器進(jìn)行50-1000倍稀釋。
更新時(shí)間:2026-01-12
德國(guó)eberl 多波束電子束 octoplus 1000, 用于大 12 英寸基底 sige 外延生長(zhǎng)的 mbe 系統(tǒng)
更新時(shí)間:2026-01-12
德國(guó) eberl 的多波束電子束octoplus 1000系統(tǒng)，專為最大12英寸sige外延生長(zhǎng)設(shè)計(jì)，適用于mbe（分子束外延）工藝。該系統(tǒng)提供高效、高精度的沉積技術(shù)，確保高質(zhì)量薄膜的生長(zhǎng)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。
更新時(shí)間:2026-01-12
. 在垂直入射角的無(wú)接觸、光學(xué)反射測(cè)量，表征薄膜和大塊材料.光譜范圍從200到1000 nm. 功能強(qiáng)大的、獨(dú)特的分析軟件包ftpadv expert. 高穩(wěn)定的氘燈和鹵素鎢燈光源. 高精度的樣品準(zhǔn)直，帶光學(xué)自動(dòng)準(zhǔn)直透鏡act和顯微鏡
更新時(shí)間:2026-01-12
盒式裝載紫外線臭氧清洗設(shè)備 uv-300hc雙盒式生產(chǎn)系統(tǒng)，是一款高性能的盒式裝載uv臭氧清洗機(jī)，用于生產(chǎn)。這個(gè)系統(tǒng)有2個(gè)裝載盒，可以達(dá)到200-300nm/min的高灰化率。該系統(tǒng)利用紫外線照射、高濃度臭氧和可控階段加熱的獨(dú)特組合，溫和而有效地去除硅、玻璃、化合物半導(dǎo)體（gan、sic、gaas和inp）、藍(lán)寶石、陶瓷等各種基材上的有機(jī)物。
更新時(shí)間:2026-01-12
紫外線臭氧清洗機(jī) uv-300h，200 - 300 nm/min的高灰化率,是一款高性能的緊湊型紫外線臭氧清洗機(jī)。通過(guò)滑動(dòng)抽屜將基材裝入系統(tǒng)中。紫外線照射、高濃度臭氧和階段性加熱的獨(dú)特組合，可溫和而有效地去除硅、玻璃、化合物半導(dǎo)體（gan、sic、gaas、inp）、藍(lán)寶石、陶瓷等各種基材上的有機(jī)物。
更新時(shí)間:2026-01-12
日本samco紫外臭氧清洗機(jī) uv-1, 是一款緊湊型臺(tái)式紫外線臭氧清洗機(jī)。該系統(tǒng)將紫外線照射、臭氧和平臺(tái)加熱獨(dú)特地結(jié)合在一起，溫和而有效地去除硅、玻璃、化合物半導(dǎo)體（gan、gaas、inp、sic）、藍(lán)寶石、陶瓷等各種基材上的有機(jī)物。
更新時(shí)間:2026-01-12
eda 407專為光電子器件的質(zhì)量控制而設(shè)計(jì)■ 從密封封裝中進(jìn)行精確氣體分析■ 氣體成分的直觀分析■ 簡(jiǎn)明易用的軟件套件■ 全自動(dòng)化的氣體進(jìn)樣系統(tǒng)
更新時(shí)間:2026-01-12
高粘度樣品用液中粒子傳感器xp-65/ks-42c（改）無(wú)需稀釋即可測(cè)量原液（可達(dá)6000 cp）。支持在線和離線測(cè)量。廣泛的可測(cè)粒徑范圍xp-65：0.2μm～1.0μm，ks-42c（改）：0.5μm～20μm
更新時(shí)間:2026-01-12
tl系列激光開(kāi)封機(jī)通過(guò)激光能量的調(diào)節(jié)控制，去除封裝電子器件的塑膠層。用于觀察電子器件內(nèi)部焊線偏移，焊線交叉短路，倒裝焊焊球虛焊，倒裝焊焊球短路，焊線斷裂，焊線脫離等封裝缺陷。
更新時(shí)間:2026-01-12
美rkd激光開(kāi)封機(jī)ra-9000簡(jiǎn)單方便進(jìn)行半導(dǎo)體塑料封裝去屑，露出基板上的引線框架。完全圖形化的使用者操作介面，簡(jiǎn)易的進(jìn)行控制操作。輕易達(dá)成整面或定點(diǎn)，平整的塑料開(kāi)封作業(yè)。大量減低化學(xué)開(kāi)封的用酸量及時(shí)間，並將開(kāi)封成功率地大比率提升。
更新時(shí)間:2026-01-12
德國(guó)pva tepla 超聲波掃描顯微鏡 sam 301, 利用材料內(nèi)部組織因密度不同而對(duì)超聲波聲阻抗、超聲波吸收與反射程度產(chǎn)生差異的特點(diǎn)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)材料內(nèi)部缺陷的定性分析，在半導(dǎo)體封裝及材料等行業(yè)中得到廣泛應(yīng)用?？煞直娉霾牧稀⒃骷?nèi)部的裂紋、空洞、氣泡、分層缺陷、雜質(zhì)等；廣泛用于測(cè)試各種元器件、smt焊接器件、igbt器件、mems器件、晶圓鍵合等內(nèi)部缺陷的無(wú)損檢測(cè)
更新時(shí)間:2026-01-12
fr-es 是一款輕巧便捷的膜厚測(cè)量分析系統(tǒng), 能測(cè)量各種厚度范圍的透明和半透明涂層以及薄金屬層.fr-es 是 實(shí)驗(yàn)室里 的 理想 配置。fr-es 可以在各種光譜范圍內(nèi)執(zhí)行反射率和透射率測(cè)量。
更新時(shí)間:2026-01-12
桌上型hmds烘箱，小型hmds真空烤箱采用hmds涂布方法改變晶圓表面的親水性，從而增大晶圓表面的接觸角），增強(qiáng)光刻膠和晶圓的粘附力。
更新時(shí)間:2026-01-12
hmds氣相成底膜烘箱 真空hmds氣相烘箱應(yīng)用硅片、磷化銦lnp、砷化鎵gaas、鈮酸鋰linbo?、硫化鋅zns、掩膜版、玻璃、石英片、藍(lán)寶石、晶圓、碳化硅等第三代、第四代半導(dǎo)體材料等。
更新時(shí)間:2026-01-12
硅烷沉積設(shè)備 抗粘劑蒸鍍系統(tǒng) 納米壓印抗粘設(shè)備通過(guò)表面修飾的模板,可以大大降低模板與壓印聚合物層之間的相互作用力,在納米壓印過(guò)程中實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)較好的轉(zhuǎn)移,復(fù)制.
更新時(shí)間:2026-01-12
大型hmds真空烘箱 4門hmds真空烤箱 hmds硅烷蒸鍍機(jī)定制是半導(dǎo)體光刻工藝中的關(guān)鍵設(shè)備，主要用于基片表面預(yù)處理，通過(guò)六甲基二硅氮烷（hmds）涂布增強(qiáng)光刻膠與基片的黏附性
更新時(shí)間:2026-01-12
桌上型無(wú)氧烘箱 實(shí)驗(yàn)高溫?zé)o氧固化爐 真空無(wú)氧烤箱專為高精度電子元件、ic/芯片、pi/bcb/cpi/bpo等膠水等材料設(shè)計(jì)的緊湊型固化設(shè)備，結(jié)合無(wú)氧環(huán)境與高效加熱技術(shù)，確保材料在固化過(guò)程中避免氧化。
更新時(shí)間:2026-01-12
超高純氫氣發(fā)生器 （免維護(hù)版柜式機(jī)）hxcn-h-m0.6,hxcn-h-m1.2,hxcn-h-m5,hxcn-h-m10，采用pem技術(shù)電解純水制氫，無(wú)需用堿直接電解純水，無(wú)腐蝕無(wú)污染。 國(guó)外高 端制氫機(jī)優(yōu)先替代者 氫氣純度高(99.9999％)5個(gè)9到7個(gè)9可選，流量穩(wěn)定，壓力采用一體化的控制。
更新時(shí)間:2026-01-12
實(shí)驗(yàn)室氫氣發(fā)生器 （非免維護(hù)臺(tái)式機(jī)）,采用領(lǐng)先業(yè)內(nèi)pem技術(shù)電解純水制氫，無(wú)需用堿，無(wú)腐蝕無(wú)污染。 氫氣純度高99.999％，流量穩(wěn)定，壓力采用一體化的控制.
更新時(shí)間:2026-01-12
hslis e系列液體光學(xué)粒子計(jì)數(shù)器用于連續(xù)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)去離子水和制程化學(xué)品中的粒子污染水平。本系列產(chǎn)品具有監(jiān)測(cè)靈敏度高、價(jià)格低的優(yōu)勢(shì)，當(dāng)需要同時(shí)使用多臺(tái)傳感器 監(jiān)測(cè)粒子長(zhǎng)期趨勢(shì)時(shí)，本系列產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)就 更加明顯。hslis e系列產(chǎn)品的去離子水監(jiān)測(cè) 靈敏度可達(dá)0.05 μm, 制程化學(xué)品的監(jiān)測(cè)
更新時(shí)間:2026-01-10
最小可測(cè) 0.1um ，并應(yīng)用于多點(diǎn)監(jiān)測(cè)，可直接測(cè)試氫氟酸。n可偵測(cè)到最小粒徑 0.1um 的粒子n出廠設(shè)定為 5 通道：0.1 / 0.15 / 0.2 / 0.3 / 0.5umn可直接連線后進(jìn)行測(cè)試n兼容多點(diǎn)監(jiān)控系統(tǒng)
更新時(shí)間:2026-01-10
寬廣的測(cè)試范圍，可測(cè)試 0.1~0.5um 之間的顆粒只需要小小的樣品取樣量就可以得到高效率高的顆粒數(shù)據(jù)。
更新時(shí)間:2026-01-10
?liquilaz?光學(xué)粒子計(jì)數(shù)器是在各種和0.2 μm一樣低的靈敏度下測(cè)體積的粒子計(jì)數(shù)器?她們?yōu)榇蠖鄶?shù)工藝化學(xué)品提供高精密分析，包含氫氟酸和高達(dá)306°f (150 °c)的熱腐蝕劑?可測(cè)定體積的粒子計(jì)數(shù)器通過(guò)監(jiān)測(cè)100%采樣體積（多達(dá)80 毫升/分）提供最高的精確可能，所以利用短時(shí)采樣間隔而不會(huì)降低統(tǒng)計(jì)顯著性
更新時(shí)間:2026-01-10
pmt-2異丙醇雙氧水液體顆粒計(jì)數(shù)器采用英國(guó)普洛帝核心技術(shù)創(chuàng)新型的第八代雙激光窄光顆粒檢測(cè)傳感器，雙精準(zhǔn)流量控制-精密計(jì)量柱塞泵和超精密流量電磁控制系統(tǒng)，可以對(duì)清洗劑、半導(dǎo)體、超純水、電子產(chǎn)品、平板玻璃、硅晶片等產(chǎn)品的在線或離線顆粒監(jiān)測(cè)和分析，目是英國(guó)普洛帝分析測(cè)試集團(tuán)向水質(zhì)域及微納米檢測(cè)域的重要產(chǎn)品。
更新時(shí)間:2026-01-10
pmt-2激光液體粒子計(jì)數(shù)器去離子水液體顆粒計(jì)數(shù)器，采用英國(guó)普洛帝核心技術(shù)創(chuàng)新型的第八代雙激光窄光顆粒檢測(cè)傳感器，雙精準(zhǔn)流量控制-精密計(jì)量柱塞泵和超精密流量電磁控制系統(tǒng)，可以對(duì)清洗劑、半導(dǎo)體、超純水、電子產(chǎn)品、平板玻璃、硅晶片等產(chǎn)品的在線或離線顆粒監(jiān)測(cè)和分析，目是英國(guó)普洛帝分析測(cè)試集團(tuán)向水質(zhì)域及微納米檢測(cè)域的重要產(chǎn)品
更新時(shí)間:2026-01-10
pmt-2化學(xué)品液體粒子計(jì)數(shù)器清洗劑液體顆粒計(jì)數(shù)儀，采用英國(guó)普洛帝核心技術(shù)創(chuàng)新型的第八代雙激光窄光顆粒檢測(cè)傳感器，雙精準(zhǔn)流量控制-精密計(jì)量柱塞泵和超精密流量電磁控制系統(tǒng)，可以對(duì)清洗劑、半導(dǎo)體、超純水、電子產(chǎn)品、平板玻璃、硅晶片等產(chǎn)品的在線或離線顆粒監(jiān)測(cè)和分析，目是英國(guó)普洛帝分析測(cè)試集團(tuán)向水質(zhì)域及微納米檢測(cè)域的重要產(chǎn)品。
更新時(shí)間:2026-01-10
大學(xué)實(shí)驗(yàn)室磁場(chǎng)發(fā)生裝置矢量多電磁鐵 主要應(yīng)用于多磁環(huán)充磁、徑向梯度磁場(chǎng)、旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)磁導(dǎo)向等多種應(yīng)用，按用戶的使用要求設(shè)計(jì)制作，該種類型的電磁鐵能夠很好的與客戶設(shè)計(jì)的磁場(chǎng)平臺(tái)兼容。
更新時(shí)間:2026-01-10
實(shí)驗(yàn)室矢量電磁鐵多磁場(chǎng)發(fā)生器多水冷式或風(fēng)冷、具有視野開(kāi)闊、磁場(chǎng)強(qiáng)度高、磁場(chǎng)強(qiáng)度大小調(diào)節(jié)方便的特點(diǎn)
更新時(shí)間:2026-01-10
多電磁鐵矢量磁源發(fā)生器物理電磁學(xué)實(shí)驗(yàn)在小氣隙時(shí)用于鐵氧體產(chǎn)品的充磁，與磁性樣品產(chǎn)品的磁化處理。
更新時(shí)間:2026-01-10
多電磁鐵實(shí)驗(yàn)室矢量電磁場(chǎng)水冷式或風(fēng)冷磁場(chǎng)設(shè)備電磁鐵為四結(jié)構(gòu)的，軛鐵八邊形，氣隙可調(diào)，柱直徑50mm，磁直徑25mm，四在同一平面；可水平或45度角放置。
更新時(shí)間:2026-01-10
變溫教學(xué)霍爾測(cè)試系統(tǒng)霍爾效應(yīng)教學(xué)實(shí)驗(yàn)儀器 本系統(tǒng)由jh50變溫教學(xué)霍爾測(cè)試系統(tǒng)、tesk301控溫儀、液氮恒溫器和轉(zhuǎn)向磁體四個(gè)部分組成，可完成在不同溫度條件下測(cè)量霍爾片樣品霍爾效應(yīng)的教學(xué)實(shí)驗(yàn)。該系統(tǒng)可與計(jì)算機(jī)連接，配合相應(yīng)的軟件實(shí)現(xiàn)計(jì)算機(jī)實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)采集，也可配合我公司其他設(shè)備使用。
更新時(shí)間:2026-01-10
iquilaz?光學(xué)粒子計(jì)數(shù)器是在各種和0.2 μm一樣低的靈敏度下測(cè)體積的粒子計(jì)數(shù)器?她們?yōu)榇蠖鄶?shù)工藝化學(xué)品提供高精密分析，包含氫氟酸和高達(dá)306°f (150 °c)的熱腐蝕劑?可測(cè)定體積的粒子計(jì)數(shù)器通過(guò)監(jiān)測(cè)100%采樣體積（多達(dá)80 毫升/分）提供最高的精確可能，所以利用短時(shí)采樣間隔而不會(huì)降低統(tǒng)計(jì)顯著性
更新時(shí)間:2026-01-10
mosfet參數(shù)測(cè)試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（包括igss / bvr / vds（sat） / idss / vgsth / vf / rds（on））；動(dòng)態(tài)參數(shù)（開(kāi)通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)
更新時(shí)間:2026-01-09
一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介雪崩能量測(cè)試臺(tái)，是門設(shè)計(jì)測(cè)試igbt、二管、mos管測(cè)試設(shè)備，對(duì)于那些在應(yīng)用過(guò)程中功率器件兩端產(chǎn)生較大電壓的尖峰應(yīng)用，就要考慮器件的雪崩能量，電壓的尖峰所集中的
更新時(shí)間:2026-01-09
一. 功能簡(jiǎn)介全動(dòng)態(tài)測(cè)試的基本原理是在一個(gè)工頻半周內(nèi)對(duì)被測(cè)元件施加半波電流，電流的平均值由元件的額定電流值決定，而在另一個(gè)半周內(nèi)施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓，測(cè)量它的動(dòng)態(tài)阻斷伏安特性，它模擬了
更新時(shí)間:2026-01-09
一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介該測(cè)試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗(yàn)測(cè)試中不可缺少的用測(cè)試設(shè)備。 該套測(cè)試設(shè)備主要有以下幾個(gè)單元組成：1)門觸發(fā)參數(shù)測(cè)試單元2)維持電流測(cè)試單元3)阻斷參數(shù)測(cè)試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測(cè)試單元5)電壓上升率參數(shù)測(cè)試單元6)擎住電流7)門電阻8)計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)9)合格證標(biāo)簽打印10)夾具單元；包含平板夾具和模塊夾具
更新時(shí)間:2026-01-09
一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介浪涌電流測(cè)試儀，是二管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測(cè)試的重要檢測(cè)設(shè)備，該設(shè)備具有如下特點(diǎn)：1、該系統(tǒng)的測(cè)試控制完全采用自動(dòng)控制，測(cè)試可按測(cè)試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。2、該系統(tǒng)采用計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果，并可將測(cè)試結(jié)果轉(zhuǎn)化為excel文件進(jìn)行處理。3、該套測(cè)試設(shè)備主要由以下幾個(gè)單元組成： a、浪涌測(cè)試單元 b、阻斷參數(shù)測(cè)試單元 c、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)
更新時(shí)間:2026-01-09
阻斷特性測(cè)試儀的測(cè)試原理：符合國(guó)際及行業(yè)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，可對(duì)大功率半導(dǎo)體器件（含晶閘管）進(jìn)行阻斷特性的測(cè)試。測(cè)試電壓和漏電流值采用實(shí)時(shí)數(shù)字顯示，便于數(shù)據(jù)的觀察和記錄。采用手動(dòng)調(diào)壓器加壓模式，可實(shí)
更新時(shí)間:2026-01-09
本公司生產(chǎn)的實(shí)用新型公開(kāi)了一種自動(dòng)壓力機(jī)夾具,包括水平設(shè)置在壓力機(jī)上的多對(duì)夾臂,在所述每對(duì)夾臂相對(duì)的夾持面上均設(shè)置有橡膠墊.本實(shí)用新型優(yōu)點(diǎn)在于將夾臂的夾持面上設(shè)置有橡膠墊,這樣當(dāng)夾具夾持耐火磚時(shí)由于有橡膠墊的緩沖,不僅能夠方便的夾取磚體,而且對(duì)耐火磚起到一定的保護(hù)作用,有效防止了耐火磚夾裂或夾破,大大減少了耐火磚的破損率.
更新時(shí)間:2026-01-09
產(chǎn)品介紹交流阻斷（或反偏）耐久性試驗(yàn)是在一定溫度下，對(duì)半導(dǎo)體器件施加阻斷（或反偏）電壓，按照規(guī)定的時(shí)間，從而對(duì)器件進(jìn)行質(zhì)量檢驗(yàn)和耐久性評(píng)估的一種主要試驗(yàn)方法。 一般情況下
更新時(shí)間:2026-01-09
一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介該測(cè)試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗(yàn)測(cè)試中不可缺少的用測(cè)試設(shè)備。該套測(cè)試設(shè)備主要有以下幾個(gè)單元組成：1)門觸發(fā)參數(shù)測(cè)試單元2)維持電流測(cè)試單元3)阻斷參數(shù)測(cè)試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測(cè)試單元5)電壓上升率參數(shù)測(cè)試單元6)擎住電流7)門電阻8)計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)9)合格證標(biāo)簽打印10)夾具單元；包含平板夾具和模塊夾具
更新時(shí)間:2026-01-09
一、產(chǎn)品介紹浪涌電流測(cè)試儀，是二管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測(cè)試的重要檢測(cè)設(shè)備，該設(shè)備具有如下特點(diǎn)：1、該系統(tǒng)的測(cè)試控制完全采用自動(dòng)控制，測(cè)試可按測(cè)試員設(shè)定的程序進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試。2、該系統(tǒng)采用計(jì)算機(jī)記錄測(cè)試結(jié)果，并可將測(cè)試結(jié)果轉(zhuǎn)化為excel文件進(jìn)行處理。3、該套測(cè)試設(shè)備主要由以下幾個(gè)單元組成： a、浪涌測(cè)試單元 b、阻斷參數(shù)測(cè)試單元 c、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)
更新時(shí)間:2026-01-09
主要用于測(cè)量電纜用橡膠和塑料半導(dǎo)電材料中間試樣電阻率以及各種導(dǎo)電橡塑產(chǎn)品電阻，也可使用四端子測(cè)試夾，對(duì)金屬導(dǎo)體材料及產(chǎn)品的低、中值電阻進(jìn)行測(cè)量。
更新時(shí)間:2026-01-09
主要用于測(cè)量電纜用橡膠和塑料半導(dǎo)電材料中間試樣電阻率以及各種導(dǎo)電橡塑產(chǎn)品電阻，也可使用四端子測(cè)試夾，對(duì)金屬導(dǎo)體材料及產(chǎn)品的低、中值電阻進(jìn)行測(cè)量。
更新時(shí)間:2026-01-09
主要用于測(cè)量電纜用橡膠和塑料半導(dǎo)電材料中間試樣電阻率以及各種導(dǎo)電橡塑產(chǎn)品電阻，也可使用四端子測(cè)試夾，對(duì)金屬導(dǎo)體材料及產(chǎn)品的低、中值電阻進(jìn)行測(cè)量。
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