mosfet參數(shù)測試設(shè)備：靜態(tài)參數(shù)測試（包括igss / bvr / vds（sat） / idss / vgsth / vf / rds（on））；動態(tài)參數(shù)（開通關(guān)斷/反向恢復/短路/安全工作區(qū)

一、產(chǎn)品簡介雪崩能量測試臺，是門設(shè)計測試igbt、二管、mos管測試設(shè)備，對于那些在應用過程中功率器件兩端產(chǎn)生較大電壓的尖峰應用，就要考慮器件的雪崩能量，電壓的尖峰所集中的

一. 功能簡介全動態(tài)測試的基本原理是在一個工頻半周內(nèi)對被測元件施加半波電流，電流的平均值由元件的額定電流值決定，而在另一個半周內(nèi)施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓，測量它的動態(tài)阻斷伏安特性，它模擬了

一、產(chǎn)品簡介該測試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數(shù)檢驗測試中不可缺少的用測試設(shè)備。 該套測試設(shè)備主要有以下幾個單元組成：1)門觸發(fā)參數(shù)測試單元2)維持電流測試單元3)阻斷參數(shù)測試單元4)通態(tài)壓降參數(shù)測試單元5)電壓上升率參數(shù)測試單元6)擎住電流7)門電阻8)計算機控制系統(tǒng)9)合格證標簽打印10)夾具單元；包含平板夾具和模塊夾具